檢索結果：共3筆資料 檢索策略： "Chao-Chang Chen".eadvisor (精準) and ckeyword.raw="搖擺模式"
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在材料特性以及機械性質上相較於其他半導體材料，具有更明顯的優勢，如具有高崩潰電壓及低的阻抗，在高功耗應用端以及半導體市場中越來越受矚目，但也…
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單晶碳化矽(SiC)晶圓是眾所矚目的第三代半導體材料之一，其低漏電流特性、較高的熱傳導率、寬能隙(WBG)和耐化學性，廣泛應用於高功率及高電壓能量轉換裝置元件，然而碳化矽的硬度和脆性使其鑽石線鋸切割…
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單晶碳化矽(SiC)為第三代半導體材料之一，其在材料特性上擁有許多項優點，如：「低漏電流特性、較高熱傳導率、耐化學性及寬能隙等」，而其高硬度及耐化學性質造成碳化矽基板製造困難，且在複線式鑽石線鋸…